Carboneto de silício (SiC) para aplicações de corte de semicondutores
O carboneto de silício (SiC) é um material abrasivo essencial utilizado no corte de precisão de wafers semicondutores, incluindo silício (Si), substratos de carboneto de silício (SiC) e outros materiais duros, como a safira (Al₂O₃). Devido à sua extrema dureza e estabilidade química, o SiC é amplamente utilizado em processos de serradura multifio à base de pasta fluida e corte com fio diamantado .
1. Porquê SiC para corte de semicondutores?
Dureza (9,2 Mohs) : Só perde para o diamante, o que o torna ideal para fatiar materiais duros.
Estabilidade térmica e química : resiste ao calor e às reações químicas durante o corte.
Formato de partícula controlado : grãos afiados e angulares aumentam a eficiência do corte.
Elevada pureza (≥99%) : minimiza a contaminação no fabrico de semicondutores.
2. Tipos de abrasivos de SiC para corte
| Tipo | Características | Aplicações |
|---|---|---|
| SiC Verde | Maior pureza (>99%), grãos mais nítidos | Wafers de silício, safira, wafers de SiC |
| SiC preto | Pureza ligeiramente inferior (~97-98%), mais barato | Corte de uso geral |
| SiC revestido | Superfície tratada para melhor dispersão | Formulações avançadas de polpa |
3. Especificações principais para SiC de grau semicondutor
Tamanho das partículas : Normalmente 5–50 µm (malha F200–F1500).
Pureza : ≥99%, com baixas impurezas metálicas (Fe, Al, Ca < 100 ppm).
Formato : Quadrado ou anguloso para uma remoção eficiente de material.
Partículas magnéticas : <0,1 ppm para evitar defeitos nos wafers.
4. SiC em diferentes métodos de corte
A. Serradura com fio à base de lama (método tradicional)
Processo : Abrasivo de SiC misturado com pasta de PEG (polietilenoglicol).
Vantagem : Custo-benefício para lingotes de silício.
Desvantagem : Mais lento, gera mais resíduos.
B. Corte com fio diamantado (método moderno)
Processo : Fio revestido de diamante + refrigerante (o SiC pode ser utilizado em processos híbridos).
Vantagem : Mais rápido, mais preciso, menos perda de corte.