Micropó de Carboneto de Silício Verde para Polimento de Wafer

O pó de carboneto de silício verde (SiC) utilizado no polimento de pastilhas semicondutoras é um material essencial. É amplamente utilizado em processos de polimento de precisão devido à sua elevada dureza, excelente estabilidade química e estabilidade térmica.

1. Características do carboneto de silício verde

—Elevada dureza (dureza de Mohs 9,2): só perde para o diamante e para o nitreto cúbico de boro, adequado para processar materiais duros (como o silício, as pastilhas de carboneto de silício).

—Inércia química: não reage com ácidos e álcalis à temperatura ambiente para evitar a contaminação da superfície do wafer.

—Estabilidade térmica: ainda pode manter o desempenho a altas temperaturas, adequado para polimento a alta velocidade.

–Formato de partículas afiado: proporciona uma capacidade de corte eficiente, mas a uniformidade das partículas necessita de ser controlada para evitar riscos.

2. Aplicação em polimento de semicondutores

—Estágio de polimento bruto: utilizado para remover defeitos maiores ou vestígios de processamento na superfície do wafer (como camadas danificadas após fatiamento e moagem).

—Polimento das pastilhas de carboneto de silício (SiC): O carboneto de silício verde corresponde à dureza dos materiais das pastilhas de SiC para reduzir os danos na superfície.

—Aplicações auxiliares: utilizado para polir materiais duros e quebradiços, como substratos de safira e vidro ótico.

3. Principais requisitos de qualidade
— Distribuição do tamanho das partículas: necessita de ser altamente uniforme (como D50 1–5 μm) para evitar riscos causados ​​por partículas grandes.

—Pureza: elevada pureza (≥99,9%) para reduzir a contaminação por impurezas metálicas (como Fe, Al).

—Morfologia da partícula: necessita de ser esférica ou equiárea para reduzir a rugosidade da superfície.

—Suspensão: dispersão estável no líquido de polimento para evitar a sedimentação.