Introdução ao carboneto de silício verde:
O carboneto de silício verde ( SiC verde , fórmula química SiC ) é um abrasivo cristalino sintético de elevada pureza, conhecido pela sua extrema dureza, arestas de corte afiadas e excelente estabilidade química e térmica. É o material de SiC de qualidade superior, frequentemente chamado de “diamante verde” dos abrasivos industriais.
| Propriedade | Carbeto de silício verde |
|---|---|
| Fórmula química | SiC |
| Pureza | 98,5–99,5% SiC (grau elevado ≥99,9%) |
| Dureza de Mohs | 9,2–9,5 (junto ao diamante) |
| Microdureza | 3200–3600 kg/mm² |
| Densidade | 3,22 g/cm³ |
| Condutividade térmica | 80–140 W/m·K (excelente dissipação de calor) |
| Expansão térmica | Baixo |
| Ponto de fusão | ~2700°C |
| estabilidade química | Inerte à água, aos ácidos, aos álcalis e à maioria dos solventes. |
| Forma da partícula | Afiado, em blocos, poliédrico; boa capacidade de auto-afiação. |
Vantagens do carboneto de silício verde para a lapidação de wafers
- Dureza e desempenho de corte superioresCom uma dureza de Mohs de 9,2 a 9,5, o carboneto de silício verde é muito mais duro do que o silício monocristalino. Apresenta arestas de partículas afiadas e uma excelente capacidade de autoafiação, proporcionando uma elevada taxa de remoção de material para eliminar eficientemente as marcas superficiais e as camadas danificadas nos wafers.
- Tamanho uniforme das partículas e excelente qualidade da superfície.O pó fino rigorosamente selecionado apresenta uma distribuição granulométrica estreita e uma baixa aglomeração. Produz riscos finos e superficiais em vez de cortes profundos, lascas ou cavidades, controlando eficazmente os danos subsuperficiais e garantindo resultados de lapidação consistentes.
- Excelente estabilidade química e térmicaQuimicamente inerte à água, às pastas abrasivas comuns e aos aditivos ácidos/alcalinos, não corrói as wafers de silício. Mantém a dureza e a forma das partículas estáveis sob calor friccional, e a sua boa condutividade térmica dissipa o calor rapidamente para evitar deformações térmicas da bolacha.
- Alta pureza para aplicações em semicondutoresApresenta um menor teor de metais pesados e impurezas em comparação com o carboneto de silício negro. Não causa contaminação elétrica, cumprindo plenamente os elevados requisitos de pureza para a produção de wafers semicondutores e fotovoltaicos.
- Boa resistência ao desgaste e relação custo-benefício.A baixa perda por abrasão prolonga a vida útil. É muito mais económico do que o pó de diamante, mantendo um desempenho de lapidação fiável, ideal para a produção em massa. O pó mantém-se bem em suspensão na pasta abrasiva, reduzindo a frequência de troca do fluido.
- Resistência moderadaO equilíbrio entre fragilidade e resistência impede que as partículas finas em excesso se incrustem nas superfícies dos wafers, simplificando os processos de limpeza subsequentes. É compatível com diversas almofadas e equipamentos de lapidação para lapidação de um ou dois lados, biselamento de arestas e outros processos.