Abrasivos de carbeto de silício verde de alta pureza, matérias-primas de carbeto de silício de grande cristalinidade, para garantir o excelente desempenho de corte e o estado físico estável do micropó de carbeto de silício para corte.
| ANÁLISE QUÍMICA TÍPICA | |
| SiC | ≥99,05% |
| SiO2 | ≤0,20% |
| F,Si | ≤0,03% |
| Fe2O3 | ≤0,10% |
| FC | ≤0,04% |
| PROPRIEDADES FÍSICAS TÍPICAS | |
| Dureza: | Escala de Mohs: 9,5 |
| Ponto de fusão: | Sublime a 2600 ℃ |
| Temperatura máxima de serviço: | 1900℃ |
| Densidade específica: | 3,20-3,25 g/cm³ |
| Densidade aparente (LPD): | 1,2-1,6 g/cm³ |
| Cor: | Verde |
| Forma da partícula: | Hexagonal |
| Tamanhos: | |
| Micropó: JIS:240#280#320#360#400#500#600#700#800#1000#1200#1500#2000#2500#3000#4000#6000#8000#10000# ALIMENTAÇÃO: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
1. Excelente desempenho de polimento
- A elevada dureza e o formato de grão preciso proporcionam um acabamento superficial superior nos wafers de silício.
- Remove eficazmente defeitos superficiais, riscos e camadas irregulares.
2. Alta eficiência de corte
- Elevada capacidade de moagem, o que melhora significativamente a velocidade de polimento e a eficiência da produção.
- Desempenho de abrasão estável com baixo consumo.
3. Tamanho uniforme das partículas
- A distribuição estreita das partículas garante um efeito de polimento consistente em todos os wafers.
- Evite polir em excesso ou danificar a superfície localmente.
4. Boa estabilidade química
- Resistente a altas temperaturas e à corrosão química em pastas de polimento.
- Baixa reação química com substratos de silício, sem contaminação.
5. Baixo dano superficial
- Os grãos finos e regulares causam danos mínimos na subsuperfície das lâminas de silício.
- Ideal para o polimento de precisão de wafers de silício de grau semicondutor.
6. Custo-benefício
- Longa vida útil e qualidade estável, reduzindo o custo total de produção.