Micropó de carboneto de silício verde (GC) para polimento de wafers de silício semicondutores
1. Visão geral do produto
O micropó de carboneto de silício verde (GC) de alta pureza é um abrasivo sem núcleo para o corte, lapidação e pré-polimento de wafers de silício no fabrico de semicondutores. É formulado numa pasta de polimento à base de água/glicol para remover marcas de serra, aplainar superfícies de wafers e reduzir os danos na rede cristalina subsuperficial antes do polimento fino por CMP.
2. Propriedades Essenciais para o Processamento de Wafer
- Pureza ultra-elevada, impurezas metálicas ultra-baixasSiC ≥99,0%, Fe₂O₃ ≤0,05%, substâncias magnéticas <15 ppm, teor mínimo de carbono livre e metais pesados. Ausência de contaminação metálica nas lâminas de silício, evitando a degradação da corrente de fuga e da vida útil dos portadores nos chips.
- Dureza adequada e morfologia cristalina auto-afiávelDureza Mohs de 9,2 a 9,5, grãos poliédricos equiaxiais afiados. Equilibra uma elevada taxa de remoção de material e danos superficiais superficiais em comparação com os abrasivos de SiC preto e alumina.
- Excelente inércia química e estabilidade térmica.Insolúvel e não reativo com líquidos de polimento ácidos/alcalinos; a elevada condutividade térmica dissipa rapidamente o calor de fricção para evitar tensões térmicas, empenamento e microfissuras no wafer durante o lapidação a alta velocidade.
- Distribuição granulométrica controlada e estreitaA classificação rigorosa elimina os grãos grosseiros de tamanho excessivo, previne riscos superficiais aleatórios, estabiliza a variação total da espessura (TTV) da bolacha e a uniformidade da rugosidade.
3. Índice Químico Típico para o Pó de Carbonato de Gás de Grau Semicondutor
| Índice | Requisito padrão |
|---|---|
| Conteúdo de SiC | ≥99,0% |
| Fe₂O₃ | ≤0,05% |
| Carbono Livre (CL) | ≤0,10% |
| Matéria Magnética | ≤0,015% |
| Impureza de SiO₂ | ≤0,20% |
| Metais pesados (Pb, Cd, Cr, Ni) | Total <20 ppm |
4. Seleção padrão de grãos para polimento de wafers de silício
| Tamanho do grão | Tamanho típico de partículas D50 | Cenário de aplicação |
|---|---|---|
| GC 600# | ~22 μm | Desbaste grosseiro, remoção pesada de danos causados pela serra. |
| GC 800# | ~16 μm | Laminação intermédia grosseira |
| GC 1200# | ~12 μm | Corte de fio de lingote de silício, lapidação média |
| GC 1500# | ~8 μm | Laminação fina para wafers semicondutores finos |
| GC 2000#–6000# | 1–5 μm | Pré-polimento ultrafino, chanfro de arestas, retrabalho |
5. Princípio de funcionamento da pasta de polimento GC
Misture o pó micronizado de GC de alta pureza com água desionizada ou líquido transportador PEG para formar uma pasta de polimento suspensa. Sob pressão entre a placa de lapidação e a lâmina de silício, as partículas de GC rolam e microcortam a superfície do silício para remover uniformemente as irregularidades, realizando o nivelamento sem danificar a rede cristalina. Após a lapidação, as lâminas são submetidas a uma limpeza em múltiplas fases para remover as partículas residuais de SiC antes do polimento químico-mecânico (CMP).