O carboneto de silício verde é um abrasivo dominante para a lapidação de wafers. Combina alta eficiência de processamento, baixo dano superficial, desempenho estável e excelente relação custo-benefício, sendo amplamente aplicado na lapidação e polimento semifino de wafers de silício para células fotovoltaicas e semicondutoras.

O pó de carboneto de silício verde apresenta uma elevada dureza, tamanho de partícula uniforme e grande estabilidade química. Proporciona uma elevada eficiência de polimento, superfície de wafer ultra-lisa e baixo dano subsuperficial, sendo um abrasivo ideal para o polimento de wafers de silício.

Misture o pó micronizado de GC de alta pureza com água desionizada ou líquido transportador PEG para formar uma suspensão de polimento. Sob pressão entre a placa de lapidação e a lâmina de silício, as partículas de GC rolam e microcortam a superfície do silício para remover uniformemente os picos irregulares, realizando o nivelamento sem destruição profunda da rede cristalina.

Vantagens do micropó de SiC preto O micropó de carboneto de silício negro (α-SiC, SiC ≥98,5%) é um pó fino cristalino hexagonal negro (0,5–60 μm). Comparativamente com o SiC verde, a alumina fundida e outros abrasivos, apresenta propriedades superiores em diversos aspetos: –Excelente desempenho abrasivo mecânico Ultra-alta dureza : dureza Mohs de 9,15 a 9,2,

O carboneto de silício preto (SiC preto, BSiC) é um material industrial de alto desempenho amplamente utilizado em metalurgia devido à sua elevada dureza, elevado ponto de fusão, excelente resistência ao desgaste, resistência à corrosão e estabilidade a altas temperaturas.

O carboneto de silício verde (também escrito como SiC verde) é um material abrasivo sintético de elevada pureza, produzido por fusão num forno elétrico de alta temperatura a partir de areia de quartzo de alta qualidade, coque de petróleo e sal industrial. Apresenta-se como um pó ou bloco cristalino verde com partículas angulosas e afiadas.