O pó de carboneto de silício (SiC) fabricado na China existe principalmente sob duas formas cristalinas: α-SiC (hexagonal/romboédrico, padrão industrial) e β-SiC (cúbico, ultrafino/nano). O SiC preto e o SiC verde são os graus comerciais mais comuns.

O carboneto de silício preto (pó de SiC preto) é um material de enchimento funcional ultrafino de alta pureza, especialmente desenvolvido para tintas industriais à base de água e solvente, revestimentos e revestimentos anticorrosivos.

O micropó de carboneto de silício verde apresenta uma elevada resistência à temperatura, um baixo coeficiente de expansão térmica, uma boa resistência ao choque térmico e um desempenho químico estável. É amplamente utilizado como carga funcional em materiais de isolamento térmico e refratários, podendo melhorar eficazmente a estabilidade estrutural a altas temperaturas, aumentar a resistência à compressão e a capacidade antioxidante, bem como prolongar a vida útil das camadas isolantes.

O carboneto de silício verde é um abrasivo dominante para a lapidação de wafers. Combina alta eficiência de processamento, baixo dano superficial, desempenho estável e excelente relação custo-benefício, sendo amplamente aplicado na lapidação e polimento semifino de wafers de silício para células fotovoltaicas e semicondutoras.

O pó de carboneto de silício verde apresenta uma elevada dureza, tamanho de partícula uniforme e grande estabilidade química. Proporciona uma elevada eficiência de polimento, superfície de wafer ultra-lisa e baixo dano subsuperficial, sendo um abrasivo ideal para o polimento de wafers de silício.

Misture o pó micronizado de GC de alta pureza com água desionizada ou líquido transportador PEG para formar uma suspensão de polimento. Sob pressão entre a placa de lapidação e a lâmina de silício, as partículas de GC rolam e microcortam a superfície do silício para remover uniformemente os picos irregulares, realizando o nivelamento sem destruição profunda da rede cristalina.